檢索結果:共7筆資料 檢索策略: "張勝良".ccommittee (精準) and cadvisor.raw="葉文昌"
個人化服務 :
排序:
每頁筆數:
已勾選0筆資料
1
本研究成功以蔽蔭遮罩圖案化製程製作多晶矽薄膜電晶體和多晶矽反相器,所製作的p型與n型薄膜電晶體其通道長和寬分別為30和80 μm,載子移動率分別為12.19和6.5 cm2/V-s,ION/IOFF…
2
本研究開發出全濺鍍鍍膜製程之矽晶粒定位薄膜電晶體,其中以室溫反應性脈衝直流磁控濺鍍法實現了7 MV/cm崩潰電場之氧化矽膜,利用退火後其固定電荷達1.95×1011 cm-2,介面陷阱密度為6.4×…
3
成功的利用濺鍍法,配合蔽蔭遮罩沉積薄膜暨圖案化的方式,製作多晶矽薄膜電晶體於玻璃基板上,所製作的TFT On/Off電流比為103,Mobility為10 cm2/V-S, Threshold vo…
4
本研究以溶膠凝膠法開發磷玻璃溶液做為磷擴散源,經旋轉塗佈於polished單晶矽晶圓並高溫退火成功形成pn接面。所製作pn二極體之ideal factor為1.52。以此方式製作太陽電池,雖不具抗反…
5
本研究製作單晶矽太陽電池,以TMAH蝕刻單晶矽晶圓進行表面粗糙化,形成金字塔結構,接著以磷酸溶液做為n+擴散源,經塗佈於Textured單晶矽晶圓並以高溫退火成功形成pn接面,並搭配磁控濺鍍機進行反…
6
本論文成功使用低溫濺鍍磊晶法成長矽薄膜並且應用於太陽電池元件製作,磊晶矽薄膜的部份在製程溫度為220℃與直流電源功率為100 W的條件下可得到最佳的矽膜品質,其有效復合速率(Recombinatio…
7
本研究成功利用蔽蔭遮罩圖案化製程與固相結晶法於不鏽鋼基板上製作出多晶矽薄膜電晶體,所製作的p型與n型薄膜電晶體其通道長和寬分別為25和100 μm,載子移動率分別為1.4和0 cm2/V-s,Ion…